三星向ITC投诉京东方窃取知识产权及不正当竞争

2023-11-03351

加入钛合金材质的三星Galaxy S24系列发布日期泄露 早于大多数人的预期

2023-11-031942

三星定制骁龙8 Gen 3同样只是略微超频的Cortex-X4核心 性能提升微乎其微

2023-11-03520

三星可能推出金色中框的Galaxy S24 Ultra机型

2023-11-02261

高通CEO确认三星Galaxy S24采用双芯片策略 大部分市场将采用骁龙版本

2023-11-02257

钛合金中框 三星Galaxy S24 Ultra渲染图出炉

2023-11-02886

三星电子三季报净利润超预期 预计明年存储市场复苏 AI需求持续旺盛

2023-10-31177

三星三季度营业利润同比下滑78% 芯片业务亏损收窄

2023-10-31189

传三星Exynos 2500将采用未命名的RDNA4 GPU 支持更快的LPDDR5T内存

2023-10-30501

三星Galaxy Z Flip5复古版发布 致敬历史经典E700

2023-10-301049

三星宣布为其2亿像素ISOCELL传感器加入基于AI的变焦功能

2023-10-28307

三星表示已做好卫星通信方面的技术储备 Galaxy S24系列有望首次支持

2023-10-27350

挑战Intel/AMD 三星计划推出适用Windows PC处理器

2023-10-25427

三星Galaxy S24、S24+和S24 Ultra号称将成为"史上最智能的 AI 手机"

2023-10-244043

三星SDI和现代汽车首次签署电池供应协议：满足50万辆电动车所需

2023-10-23277

获“无限期豁免”后 三星西安工厂将升级236层NAND技术

2023-10-22438

三星展望HBM4内存 工艺学习Intel 22nm

2023-10-22415

三星为Galaxy S24系列机型找到第四家电池供应商 来自印度

2023-10-22720

三星推出HBM3E "Shinebolt"、GDDR7 和LPDDR5x CAMM2内存

2023-10-21557

三星公布芯片计划：3年内量产2纳米 5年内超越台积电

2023-10-20387

15999元轻薄大折叠旗舰 三星W24图赏

2023-10-20831

三星高管透露将于2024年推出300层以上的V-NAND

2023-10-19249

三星积极推进第五代HBM3e 传输速度高达1.228 TB/s

2023-10-19381

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s 秒传百部电影

2023-10-18326

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

2023-10-17611

三星将升级西安工厂NAND芯片工艺至236层

2023-10-16380

三星电子上半年现金储备达4319亿元：相当于韩国一季度GDP的1/6

2023-10-16261

三星将于明年1月正式发布Galaxy S24系列

2023-10-132103

三星电子将于 2025 年推出新一代 HBM4 内存

2023-10-12531

搭载Exynos 2400的Galaxy S24 Plus亮相Geekbench 性能媲美骁龙 8 Gen 3

2023-10-121256