原本不打算在美国投资建厂的台积电，近年来在美国压力下不断增加投资，最新承诺是1650亿美元，而美国近期暗示需要增加到2000亿美元以上。对台积电来说，不仅需要对美国巨额投资，而且还要把先进工艺转移到美国工厂，一期工厂之前计划是生产5nm芯片，去年底落成后已经转成4nm工艺。

正在建设中的二期工厂预计会生产3nm工艺，而后续的投资计划中2nm到1.4nm工艺的芯片都在一步步转移到美国生产。

台积电如此积极地把产能转移到美国，就不怕技术泄密吗？这也是外界最关心的问题之一，台积电之前多次表态安抚质疑，表示最先进的工艺还会在总部基地生产。

现在更有主管部门出来表态放风，表示关键技术都会有管制，而且参与人员也会纳入其中，台积电未来会推进到1.4nm工艺，需要满足N-2要求后才能出海。

N-2意味着海外基地生产的工艺要落后台积电本土两代才能转移出去，比如台积电当前最先进的量产工艺是2nm（N2），那么海外生产的就是5nm级别（N5），中间还隔着3nm工艺，落后两代。

未来台积电量产1.4nm（A14）工艺之后，2nm工艺才会在美国生产，中间隔了1.6nm工艺（A16）。