台积电正加快在美国推进先进芯片制造进程。据日本《日经亚洲评论》报道，该公司计划于2026年中旬开始向亚利桑那州第二座晶圆厂搬入生产设备，并将3纳米芯片量产目标锁定在2027年。

报道援引消息人士称，设备安装预计在2026年7月至9月间启动。设备到位后，通常需要近一年时间完成生产线验证和量产准备，对于3纳米等先进制程而言，由于涉及超过1000道工序及严格的工艺验证，此过程可能更长。这一最新时间表与台积电董事长兼执行长魏哲家近期表态一致，他表示公司希望提前于原计划（2028年）启动美国生产。

与此同时，《工商时报》报道，台积电将于年底前邀请投标亚利桑那第三座厂房的建设合约。目前，第一座亚利桑那厂已开始为苹果生产芯片，并供应英伟达最新Blackwell架构AI处理器。一旦总额1650亿美元的亚利桑那项目全面完成，包括五座晶圆厂、高级封装设施及研发中心，台积电预计其最先进芯片约30%将在美国制造。

此外，台积电正考虑调整日本熊本第二厂计划，据《日经》报道，公司或将该厂转向4纳米制程，而非原定的6纳米和7纳米，这可能需要设计变更并导致项目延后。