消息称中国存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）已启动HBM3高带宽存储器（High Bandwidth Memory 3）模组的量产工作。该公司在高性能存储领域正努力追赶国际主流厂商，其中以韩国企业为代表的竞争对手早在2023年便全面进入第四代高带宽存储产品的量产阶段。

过去一年中，长鑫在多条主要面向商用市场的产品线上展现出技术能力的提升。例如，其自研DDR5与LPDDR5X内存设计已于去年11月亮相预览，展示了“国产化”高速内存的最新进展。今年2月初，华硕、宏碁、戴尔与惠普等多家国际PC品牌据称正在评估采用长鑫消费级内存产品，以应对全球内存供应持续趋紧的局面。

长鑫向HBM3领域的多元化布局最早由业内人士在去年5月披露，当时外界首次获悉其开始涉足“本土化”HBM3模组开发。同年初秋，与长江存储（YMTC）相关的合资项目进一步被视为整体推进中国HBM产业链扩张的关键一步。这一系列动向被认为为中国在高端存储领域加快补齐短板奠定了基础。

在高端算力需求暴涨、制裁持续收紧的背景下，华为最新一代Ascend系列AI加速器被指出已采用“自研”HBM技术。由于全球制裁措施限制美光、三星、SK海力士等厂商的高端存储产品向中国企业供应，华为及本土合作伙伴被迫加速推进国产高带宽存储方案。韩媒MK援引匿名消息人士称：“在中国AI芯片开发中处于领先地位的华为正在与长鑫共同开发HBM，即便外界认为当前良率偏低，相关产品仍有望进入量产阶段。”

进一步的业内消息显示，长鑫计划将每月约6万片晶圆用于HBM3生产，而该数字约占其总月产能30万片的20%。在2026年这一时间窗口内，这一比例意味着长鑫将把相当可观的一部分整体DRAM产能投入高带宽存储，力图在全球HBM供应持续紧张、AI及高性能计算需求快速扩张的产业格局中占据一席之地。