SK海力士公司今日宣布，其321层2TB QLC NAND闪存产品已完成开发，并已开始量产。此举标志着全球首次采用QLC技术实现超过300层的NAND闪存，树立了NAND密度的新标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式发布该产品。

为了最大限度地提升新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一款2Tb的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为了解决大容量NAND闪存可能带来的性能下降问题，该公司将芯片内的独立操作单元（Plane）数量从4个增加到6个。这实现了更强大的并行处理能力，并显著提升了同时读取性能。

因此，与之前的 QLC 产品相比，321 层 QLC NAND 不仅容量更大，性能也更上一层楼。数据传输速度提升一倍，写入性能提升高达 56%，读取性能提升 18%。此外，写入功率效率提升超过 23%，增强了低功耗至关重要的 AI 数据中心的竞争力。

该公司计划首先将其 321 层 NAND 应用于 PC SSD，然后再扩展到数据中心的企业级 SSD (eSSD) 和智能手机的 UFS。SK 海力士利用其专有的 32DP3 技术，该技术可在单个封装中同时堆叠 32 个 NAND 芯片，旨在通过实现两倍的集成密度，进军 AI 服务器的超大容量 eSSD 市场。

SK海力士NAND开发负责人Jeong Woopyo表示：“随着量产的启动，我们显著增强了高容量产品组合，并确保了成本竞争力。我们将作为全栈AI内存供应商，实现重大飞跃，以满足AI需求的爆炸式增长以及数据中心市场对高性能的要求。”