因向中国长鑫存储泄露核心技术 韩国检方起诉前三星高管等人

首尔中央地方检察厅信息技术犯罪调查部表示，已于12月23日以违反《产业技术泄露防止及保护法》（向海外泄露国家指定核心技术等）罪名，起诉并拘押包括前三星电子高管A某在内的5名核心开发人员，另有各开发部门负责人等5人被不拘留起诉。 这些人被指在CXMT任职或提供协助期间，系统性复制、转移并使用三星10纳米级DRAM生产工艺的核心资料。

检方介绍，CXMT由中国地方政府出资约2.6万亿韩元设立，是中国首家DRAM半导体企业，在整个研发过程中非法使用韩国最尖端的DRAM工艺技术，最终成为中国首个、全球第四个成功量产10纳米级DRAM的企业。 相关技术被指为三星斥资约1.6万亿韩元率先在全球开发完成的最新一代10纳米级DRAM工艺。

案件披露的经过显示，CXMT在2016年5月成立后不久，便将当时全球唯一实现10纳米级DRAM量产的三星电子作为“挖角重点对象”，制定技术获取路线，持续从三星延揽核心工程师。 其中，已被国际刑警组织发布红色通缉令的三星研究员B某跳槽至CXMT后，大量复制并泄露了涉及数百道工艺流程的技术信息，为CXMT搭建起完整研发框架。

检方还指出，在推进相关产品开发期间，CXMT除吸收三星技术外，还非法获取了SK海力士被指定为国家核心技术的部分DRAM工艺资料，并据此进行本地化改造和验证，持续优化以匹配中国境内的生产设备与线体条件。 在上述综合技术支撑下，CXMT最终于2023年在中国首次实现DRAM产品量产。

检方评估，此次技术外流导致CXMT一举掌握世界级DRAM工艺水平，并由此夯实了未来开发高带宽存储器（HBM）的技术基础。 与此同时，三星电子等韩企面临的损失被估算至少达到数十万亿韩元规模。 以全球市场占有率变化为参照，仅去年一年，三星电子由此造成的销售额下滑就被推算在5万亿韩元左右。

考虑到半导体相关产业在韩国出口结构中占比约为20.8%，检方警告称，国家层面的中长期经济损失预估同样将达到至少数十万亿韩元，事态已超越单一企业范畴，上升为严重的国家经济与产业安全问题。