Rapidus流片2纳米GAA测试芯片 计划2027年量产
日本 Rapidus 已成功流片 2 纳米 GAA 测试芯片，计划于 2027 年实现量产。在 Hot Chips 2025 大会演讲中，该公司概述了新 IIM-1 代工厂的目标（这些芯片将在该工厂生产），并介绍了其针对习惯于其他晶圆厂的客户（如台积电和潜在的英特尔）的宣传。
Rapidus 2 纳米 GAA 测试芯片采用 ASML 的 EUV 工具制造，该节点已达到最初设定的所有所需电气特性。Rapidus 首席执行官指出，随着 2027 年的量产，其 IIM-1 晶圆厂每月将生产约 25000 片晶圆。
然而，到 2027 年，Rapidus 将落后台积电甚至英特尔一两个节点。因此，该公司希望通过成为该领域最敏捷的企业来在竞争中脱颖而出。该公司宣称其专有的全单晶圆概念的周转时间仅为50天，而批量单晶圆混合设计通常需要大约120天才能完成。这将定制硅片的等待时间从三个月缩短至仅50天。Rapidus设想通过使用与OSAT、EDA、IP、研发和工具材料协同工作的定制后端来实现这一目标，从而实现硅片的快速周转时间。对于热批次（当特定产品需求旺盛且公司需要尽快生产时）而言，标准时间约为50天。然而，Rapids承诺晶圆生产时间仅为15天，这在以前是前所未有的，尤其是在2纳米这样的前沿节点。
唯一值得期待的指标是执行力，外界正在观望 Rapidus 能否按计划实现其目标。在不到三年的时间里，Rapidus 已完成其 IIM-1 里程碑：自 2023 年 9 月破土动工、2024 年完成洁净室建设以来，该公司已在 2025 年 6 月之前连接了超过 200 台全球最先进的半导体设备。
从过往的业绩来看，Rapidus 的愿景并非难事。然而，正如我们在半导体制造业所见，有些计划几乎无法按时完成，因此我们正在密切关注事态发展。
