GeForce RTX 50"Blackwell"GPU采用台积电3纳米工艺 支持DisplayPort 2.1

如果我们将 N5（英伟达的 4N 优化 5nm 变体）与最新的 3nm 工艺技术进行比较，那么 3nm 工艺技术将使功耗降低 25-30%，单位晶体管性能提高 10-15%，面积缩小 42%，密度提高 1.7 倍。与目前的 5nm 节点相比，这些都是相当可观的提升，而 5nm 节点在现有的 GeForce RTX 40"Ada Lovelace"系列中提供了惊人的每瓦性能（效率），因此我们可以期待 NVIDIA 在效率方面进一步领先于竞争对手。

英伟达面向 HPC/AI 的"Blackwell"GPU 预计也将采用台积电的 3nm 工艺节点和最新的 HBM3e 内存解决方案。与此同时，英伟达专注于游戏的显卡将采用最近猜测的 GDDR7 内存解决方案。这将是时隔多年后，HPC 和 Gaming 系列首次采用相同命名规则的架构。

除了工艺节点技术，NVIDIA 还有望在其下一代显卡中采用 DisplayPort 2.1 技术，这将使其与 AMD 的 Radeon RX 7000 GPU 看齐，后者自去年起就开始提供该技术。GeForce RTX 40 GPU 没有采用 DP 2.1 技术是一大遗憾，但看起来英伟达将在其即将推出的图形架构中支持最新技术。至于上市时间，NVIDIA GeForce RTX 50"Blackwell"图形处理器架构预计将于 2024 年底或 2025 年初亮相。